Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF6P21190HR6

FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230

Paket/Kılıf
NI-1230
Seri / Aile Numarası
MRF6P21190HR6

MRF6P21190HR6 Hakkında

MRF6P21190HR6, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS tabanlı RF MOSFET transistördür. 2.12 GHz çalışma frekansında, 68V nominal gerilim ile 44W çıkış gücü sağlayabilen bu bileşen, radyo frekans uygulamalarında güç yükselticisi olarak kullanılır. NI-1230 paket içinde sunulan transistör, mobil iletişim sistemleri, broadcast sistemleri ve endüstriyel RF uygulamaları gibi alanlarda yaygın olarak yer almıştır. 15.5dB kazanç değeri ile doğrusal çalışma karakteristikleri sunar. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmış (obsolete) olup, yerine geçen alternatiflerin tercih edilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 1.9 A
Frequency 2.12GHz
Gain 15.5dB
Package / Case NI-1230
Part Status Obsolete
Power - Output 44W
Supplier Device Package NI-1230
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 68 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok