Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6P21190HR5
RF MOSFET LDMOS 28V NI-1230
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6P21190HR5
MRF6P21190HR5 Hakkında
MRF6P21190HR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS tabanlı RF MOSFET transistördür. 2.12 GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 28V test geriliminde 44W çıkış gücü sağlar. NI-1230 paketinde sunulan transistör, 15.5dB kazanç ve 1.9A test akımı özellikleriyle karakterizedir. Maksimum 68V rated gerilim ile tasarlanan bu RF transistörü, radyo frekansı amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. LDMOS teknolojisinin sunduğu yüksek güç yoğunluğu ve verimlilik sayesinde, mobil iletişim, harita alanı amplifikatörleri ve endüstriyel RF uygulamalarına uygun bir çözümdür. Kullanımdan kaldırılmış (obsolete) parça olarak bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.9 A |
| Frequency | 2.12GHz |
| Gain | 15.5dB |
| Package / Case | NI-1230 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 44W |
| Supplier Device Package | NI-1230 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 68 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok