Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF6P18190HR6
RF K BAND, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-1230
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF6P18190HR6
MRF6P18190HR6 Hakkında
MRF6P18190HR6, Rochester Electronics tarafından üretilen K-band RF LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. N-channel konfigürasyonda tasarlanmış bu bileşen, 1.88GHz frekans aralığında çalışmak üzere optimize edilmiştir. 44W çıkış gücü ve 15.9dB kazanç değerleriyle, yüksek frekans RF uygulamalarında kullanılmaya uygun bir devre elemanıdır. 68V nominal voltaj derecelendirmesi ve NI-1230 paket standardına sahiptir. Bileşen obsolete (üretimi durdurulmuş) olup, harita uydu haberleşme sistemleri, radar uygulamaları ve endüstriyel RF amplifikasyon devreleri gibi K-band frekans aralığında çalışan sistemlerde yaygın olarak kullanılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 2 A |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.88GHz |
| Gain | 15.9dB |
| Package / Case | NI-1230 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 44W |
| Supplier Device Package | NI-1230 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 68 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok