Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF5S19060NBR1

RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272

Paket/Kılıf
TO-272BB
Seri / Aile Numarası
MRF5S19060NBR

MRF5S19060NBR1 Hakkında

MRF5S19060NBR1, Rochester Electronics tarafından üretilen L-Band RF LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistörüdür. N-channel konfigürasyonuna sahip bu bileşen, 1.99 GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 28V test gerilimi ve 65V nominal gerilim değerleri ile endüstriyel RF uygulamalarında kullanılır. 12W çıkış gücü, 14dB kazanç ve 750mA test akımı özellikleriyle, mobil haberleşe, radyo yayın sistemleri ve eğlence elektronikleri gibi alanlardaki güç amplifikatör uygulamalarında yer alır. TO-272 paket tipinde sunulan bu transistör, artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 750 mA
Frequency 1.99GHz
Gain 14dB
Package / Case TO-272BB
Part Status Obsolete
Power - Output 12W
Supplier Device Package TO-272 WB-4
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok