Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MRF581G
RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Micro-X ceramic (84C)
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF581G
MRF581G Hakkında
MRF581G, Microchip Technology tarafından üretilen bir RF NPN bipolar transistördür. 5GHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 18V Vce dayanımı ve 200mA kollektör akımı ile RF amplifikatör devrelerinde, low-noise uygulamalarında ve microwave frekans bölgesindeki haberleşme sistemlerinde tercih edilir. 3-3.5dB noise figure ve 13-15.5dB gain özellikleri ile zayıf sinyallerin yükseltilmesinde kullanılabilir. Micro-X ceramic (84C) surface mount paketinde sunulan bu transistör, kompakt ve yüksek frekanslı tasarımlarda yer kazandırır. Maksimum 1.25W güç tüketimine sahiptir. Bileşen şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Gain | 13dB ~ 15.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Micro-X ceramic (84C) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.25W |
| Supplier Device Package | Micro-X ceramic (84C) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 18V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok