Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

MRF5812R1

RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
MRF5812R1

MRF5812R1 Hakkında

MRF5812R1, Microchip Technology tarafından üretilen Surface Mount NPN RF transistörüdür. 5GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 15V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.25W maksimum güç yeteneği ile RF amplifikatör, osilatör ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. 13dB-15.5dB kazanç ve 2-3dB gürültü figürü 500MHz'de belirtilmiştir. 8-SO paket tipinde gelen bileşen, telekomünikasyon, kablosuz haberleşme ve endüstriyel RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 5GHz
Gain 13dB ~ 15.5dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Part Status Obsolete
Power - Max 1.25W
Supplier Device Package 8-SO
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok