Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MRF5812GR2
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF5812
MRF5812GR2 Hakkında
MRF5812GR2, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar RF transistörüdür. 5GHz transition frekansına sahip bu komponent, RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 15V collector-emitter diyelectric gerilimi ve maksimum 1.25W güç kapasitesi ile orta güç uygulamaları destekler. 2-3dB gürültü figürü ve 13-15.5dB kazanç karakteristiği ile 500MHz bandında stabil performans sunar. 8-SO yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. Haberleşme cihazları, radyo frekans ön kuvvetlendiriciler ve RF modülleri gibi uygulamalarda kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Gain | 13dB ~ 15.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.25W |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok