Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MRF5812GR1
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF5812
MRF5812GR1 Hakkında
MRF5812GR1, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 5GHz transition frekansı ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 200mA maksimum kolektör akımı ve 1.25W güç kapasitesine sahiptir. 15V breakdown voltajı ile tasarlanmış olan transistör, 2-3dB düşük noise figure değeri sayesinde düşük gürültülü amplifikatör devrelerinde tercih edilir. 13dB ile 15.5dB arasında değişen kazanç özelliğiyle HF/VHF/UHF frekans bandlarında haberleşme, radar ve sinyal işleme uygulamalarında yer alır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, minyatür boyutu nedeniyle yoğun PCB tasarımlarında kullanılabilir. (Obsolete)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Gain | 13dB ~ 15.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.25W |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok