Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF282ZR1

FET RF 65V 2GHZ NI-200Z

Paket/Kılıf
NI-200Z
Seri / Aile Numarası
MRF282

MRF282ZR1 Hakkında

MRF282ZR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor) tipinde RF transistördür. 2GHz frekans bandında çalışmaya uygun olup, 65V rated voltaj ile 10W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, HF/VHF uygulamalarında power amplifier tasarımlarında kullanılır. 11.5dB kazanç ve NI-200Z SMD paketinde sunulan transistör, mobil iletişim sistemi, endüstriyel RF uygulamaları ve broadcast yayın ekipmanlarında yer alır. Test koşullarında 26V voltaj ve 75mA akım değerleriyle karakterize edilmiştir. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 75 mA
Frequency 2GHz
Gain 11.5dB
Package / Case NI-200Z
Part Status Obsolete
Power - Output 10W
Supplier Device Package NI-200Z
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 26 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok