Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF282SR1
FET RF 65V 2GHZ NI-200S
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-200S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF282
MRF282SR1 Hakkında
MRF282SR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS tipi RF güç transistörüdür. 2GHz frekans bandında çalışan bu bileşen, 65V nominal gerilim ve 10W çıkış gücü ile tasarlanmıştır. 11.5dB kazanç değeri ve 75mA test akımı özellikleri ile RF amplifikatör uygulamalarında, mobil haberleşme sistemlerinde ve kablosuz iletişim cihazlarında kullanılır. NI-200S paket formatında sunulmuş olan transistör, endüstriyel ve tiyatro elektromanyetik uygulamaları için uygun bir çözümdür. Bileşen mevcut durumu itibariyle üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 75 mA |
| Frequency | 2GHz |
| Gain | 11.5dB |
| Package / Case | NI-200S |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 10W |
| Supplier Device Package | NI-200S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 26 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok