Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF281SR1

FET RF 65V 1.93GHZ NI-200S

Paket/Kılıf
NI-200S
Seri / Aile Numarası
MRF281SR1

MRF281SR1 Hakkında

MRF281SR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS türü RF güç transistörüdür. 1.93 GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 65V nominal voltaj ile tasarlanmıştır. 4W çıkış gücü ve 12.5dB kazançla RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. NI-200S paketinde sunulan transistör, özellikle mobil haberleşme sistemleri, telekomünikasyon ağları ve endüstriyel RF uygulamalarında RF sinyal güçlendirme işlevini gerçekleştirir. Test koşullarında 26V voltaj ve 25mA akım parametreleri ile karakterize edilmiştir. Ürün hayat döngüsü sonuna ulaştığından yeni tasarımlarda kullanılması önerilmez.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 25 mA
Frequency 1.93GHz
Gain 12.5dB
Package / Case NI-200S
Part Status Obsolete
Power - Output 4W
Supplier Device Package NI-200S
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 26 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok