Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF24G300HSR5
RF FET GAN 330W 50V 2500MHZ
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF24G300HSR5
MRF24G300HSR5 Hakkında
MRF24G300HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual N-channel GaN tabanlı RF MOSFET transistördür. 2.4-2.5GHz frekans bandında çalışan bu bileşen, 300W çıkış gücü ve 15.3dB kazanç özellikleriyle RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 48V test voltajı ve 125V rated voltaj ile endüstriyel wireless iletişim sistemleri, base station amplifierleri ve RF güç kontrolü uygulamalarında tercih edilir. NI-780S-4L paketinde sunulan bileşen, yüksek frekans ve yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Frequency | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| Gain | 15.3dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 300W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok