Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRF24G300HS-2UP
RF REFERENCE CIRCUIT 600W 2400MH
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRF24G300HS
MRF24G300HS-2UP Hakkında
MRF24G300HS-2UP, NXP Semiconductors tarafından üretilen GaN tabanlı RF MOSFET transistördür. 2.4GHz ~ 2.5GHz frekans bandında çalışan bu bileşen, 336W çıkış gücü ile yüksek güç RF uygulamalarında kullanılır. 15.3dB kazanç sağlayan transistör, 48V test gerilimi ve 125V nominal gerilimde çalıştırılır. NI-780S-4L paketinde sunulan MRF24G300HS-2UP, kablosuz iletişim sistemleri, base station amplifikatörleri ve endüstriyel RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. GaN teknolojisi sayesinde yüksek verimlilik ve kompakt tasarım sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Frequency | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| Gain | 15.3dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 336W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | GaN |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok