Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRF21060R3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
SOT-957A
Seri / Aile Numarası
MRF21060

MRF21060R3 Hakkında

MRF21060R3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) güç transistörüdür. 2.1GHz - 2.2GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, RF güç amplifikatörü uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 60W çıkış gücü ve 12.5dB kazanç özelliğine sahip olan transistör, 28V test gerilimi ve 65V nominal gerilim değerlerine sahiptir. SOT-957A paketinde sunulan MRF21060R3, endüstriyel RF uygulamaları, haberleşme sistemleri ve temel istasyon amplifikatörlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 500 mA
Current Rating (Amps) 6µA
Frequency 2.1GHz ~ 2.2GHz
Gain 12.5dB
Package / Case SOT-957A
Part Status Active
Power - Output 60W
Supplier Device Package NI-780H-2L
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok