Transistörler - JFET

MQ2N5116

JFET P-CH 30V 0.5W TO18

Paket/Kılıf
TO-18-2
Seri / Aile Numarası
MQ2N5116

MQ2N5116 Hakkında

MQ2N5116, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel JFET transistördür. TO-18 metal kasa paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 500mW güç yönetim kapasitesine sahiptir. 5mA Idss akımı ve 175 Ohm RDS(On) direnciyle çalışır. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Giriş kapasitanı 27pF olup, 1V kesme geriliminde çalışır. Analog anahtarlama, ses amplifikasyonu, düşük gürültü uygulamaları ve hassas sinyal işleme devreleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5 mA @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 15V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Resistance - RDS(On) 175 Ohms
Supplier Device Package TO-18
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 1 mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok