Transistörler - JFET

MQ2N5114

P-CHANNEL J-FET

Paket/Kılıf
TO-18-2
Seri / Aile Numarası
MQ2N5114

MQ2N5114 Hakkında

MQ2N5114, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel JFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 30mA drain akımı (Vgs=0) ile karakterize edilen bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 75 Ohm RDS(On) direnci ile düşük kaynağı direnci sağlar. 500mW maksimum güç derecelendirmesine sahip olan komponent, -65°C ile +200°C arasında çalışabilir. 25pF giriş kapasitanslı tasarımı, frekans uygulamalarında kullanılabilir. TO-18 metal kutu paketi ile sağlanan MQ2N5114, sinyal işleme devreleri, ses amplifikatörleri ve düşük gürültü ön kademelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30 mA @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 15V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Resistance - RDS(On) 75 Ohms
Supplier Device Package TO-18 (TO-206AA)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 10 V @ 1 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok