Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MPSW01G
NPN HIGH CURRENT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- MPSW01G
MPSW01G Hakkında
MPSW01G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörlüdür. Maksimum 1A collector akımı ve 1W güç dağıtım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-92 through-hole paketinde sunulan bu transistör, 50MHz transition frequency ile orta hızlı switching uygulamalarında kullanılır. 30V breakdown voltajı ve 500mV saturation voltajı ile düşük seviyeli sinyallerin amplifikasyonu ve anahtarlama işlevlerinde yer alabilir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok