MPSH17G

MPSH17G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. TO-92-3 (TO-226-3) kütüphanesinde paketlenmiş olan bu bileşen, yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 800MHz transition frequency ve 24dB kazanç değerleriyle VHF bant RF amplifikatörleri, yüksek frekans kuvvetlendirici devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 350mW güç tüketimiyle sınırlandırılmış olan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli bir şekilde çalışabilir. 15V Collector-Emitter breakdown gerilimi ve 6dB gürültü şekli, radyo frekansı tasarımlarında istenen parametreleri karşılar. Uydu haberleşme, amatör radyo ve endüstriyel RF devrelerinde yaygın olarak uygulanmıştır. Bileşen mevcut üretimde bulunmamaktadır.