Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MPSH10G
RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MPSH10G
MPSH10G Hakkında
MPSH10G, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde RF (Radyofrekans) transistörüdür. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, 650MHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. Maksimum 25V kollektör-emitter gerilimi ve 350mW güç dissipasyonu kapasitesi ile RF sinyal amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde yer alır. DC akım kazancı (hFE) 4mA ve 10V koşullarında minimum 60 değerindedir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen komponent, through-hole montaj tipiyle PCB'ye direkt lehimlenebilir. Haberleşme, AM/FM alıcı devrelerinde ve düşük güçlü RF amplifikatörlerinde yaygın olarak uygulanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok