Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MPSH10
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MPSH10
MPSH10 Hakkında
MPSH10, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi RF küçük sinyal transistörüdür. 650MHz transition frequency ile radyo frekans uygulamalarında kullanım için tasarlanmıştır. Maksimum 350mW güç tüketimi ile düşük sinyal RF devrelerinde, amplifikatörlerde ve anahtarlama uygulamalarında çalışır. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 60 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 4mA akımda 10V beslede stabil performans sağlar. Through Hole montaj tipi ile eski tasarımlar ve prototip uygulamalarında kullanılabilir. 25V maksimum collector-emitter bozulma gerilimi ile koruma özelliği içerir. Güncel üretim dışı (obsolete) olmakla birlikte, arşiv ve onarım uygulamalarında temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok