Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MPSH10
RF TRANS NPN 25V 650MHZ
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MPSH10
MPSH10 Hakkında
MPSH10, NTE Electronics tarafından üretilen NPN tipi RF bipolar junction transistördür. 650MHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 25V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 350mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. DC current gain (hFE) 4mA, 10V koşullarında minimum 60'tır. Through Hole montaj tipi ile PCB'ye entegre edilir. -65°C ile 150°C arasında geniş işletme sıcaklık aralığında çalışır. RF amplifikatörler, osilatörler ve switching uygulamalarında kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok