Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MPSA42,412

TRANS NPN 300V 0.1A SOT54

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
MPSA42

MPSA42,412 Hakkında

MPSA42,412, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92-3 paket türünde sunulmaktadır. 300V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 50MHz transition frequency ile RF ve anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. 500mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır. Vce(sat) değeri 500mV (20mA, 2mA) olup, darbeli ve kontinü akım uygulamalarında düşük saturasyon kaybı sağlar. DC current gain (hFE) 40 (30mA, 10V) seviyesinde olup, genel amaçlı anahtarlama, küçük sinyal amplifikasyonu ve inverter devreleri için uygun bir seçimdir. Through-hole montaj tipi ile eski endüstriyel ekipmanlarda yaygın olarak kullanılmış bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok