Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MPSA13

T-NPN SI- DARL PREAMP

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
MPSA13

MPSA13 Hakkında

MPSA13, NTE Electronics tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. Ön amplifikasyon ve sinyal kontrol uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 500mA collector akımı, 10000 minimum DC current gain (hFE) ve 30V collector-emitter breakdown voltajı ile karakterizedir. 125MHz transition frequency ve 625mW maksimum güç tüketimi, düşük gürültülü ön amplifikasyon, ses işleme, sensör arabirimleri ve düşük seviye sinyal yönetimi uygulamalarında uygun bir seçimdir. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar ve through-hole montajı destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition 125MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 100µA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok