Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MPS8099G

TRANS NPN 80V 0.5A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
MPS8099

MPS8099G Hakkında

MPS8099G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency'si ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilen bu bileşen, genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde, ses frekansı uygulamalarında ve düşük voltaj kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Maksimum 625mW güç tüketimi ile enerji-verimli tasarımlar için uygundur. Düşük maliyet ve kolay entegrasyonu nedeniyle konsümer elektronikleri, otoomotiv ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok