Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MPS6602G
TRANS NPN 40V 1A TO92
MPS6602G Hakkında
MPS6602G, onsemi tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 (TO-226-3) paketinde sunulan bu transistör, 40V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frekansı, 50 minimum DC current gain (hFE) ve 625mW maksimum güç disipasyon yeteneği ile ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve düşük frekans amplifikatör uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. TO-92 paket tipi, montaj kolaylığı ve geleneksel devre tasarımlarıyla uyumluluğu nedeniyle tercih edilmektedir. Cihazın Part Status bilgisine göre üretim durdurulmuş (Obsolete) olup, yeni tasarımlarda yerine geçebilecek alternatif çözümler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok