Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MPS650G

TRANS NPN 40V 2A TO92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
MPS650

MPS650G Hakkında

MPS650G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörü (BJT) olup, Through Hole montaj için TO-92 paketlemesi ile sunulmaktadır. Maksimum 2A kolektör akımı ve 40V çöküş voltajı ile tasarlanmış olan bu bileşen, 625mW güç dissipasyonuna sahiptir. 75MHz transit frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışmaya uygun olan MPS650G, endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. Minimum 75 hFE (DC akım kazancı) değeri ile elektrik tasarımını destekler. Bileşen, üretim sona ermiş (obsolete) durumda olup, stok kaydı amaçlı teknik referans olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition 75MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok