Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

MMUN2235LT1G

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMUN2235

MMUN2235LT1G Hakkında

MMUN2235LT1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 100 mA maksimum kolektör akımı ve 50 V kolektör-emiter arasında kırılma gerilimi ile çalışır. Entegre 2.2 kΩ baz direnci ve 47 kΩ emiter direnci sayesinde harici biyaslandırma dirençlerine ihtiyaç duymaz. 246 mW maksimum güç yönetimi ve 80 minimum DC akım kazancı özellikleriyle düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Özellikle darbe şekillendirme, sinyal deteksiyonu ve lojik seviyelendirme devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 246 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok