Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

MMUN2234LT1G

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMUN2234

MMUN2234LT1G Hakkında

MMUN2234LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, dahili base ve emitter base dirençleri içerir (sırasıyla 22kΩ ve 47kΩ). Maximum 50V kolektör-emitter gerilimi ile çalışır ve 100mA'ye kadar kolektör akımını yönetebilir. 246mW maximum güç dissipasyonu kapasitesi vardır. Minimum 80 (hFE) DC akım kazancı 5mA kolektör akımı ve 10V Vce'de elde edilir. Saturasyon gerilimi 250mV maksimum değerdedir. Ses, RF amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici base direnci gerektirmez ve kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 246 mW
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok