Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
MMUN2230LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
MMUN2230LT1G Hakkında
MMUN2230LT1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre base-emitter dirençleriyle birlikte gelmektedir. 50V kolektör-emitter gerilimine kadar çalışabilen transistör, maksimum 100mA kolektör akımı sağlayabilir. Düşük güç tüketimi (246mW) nedeniyle taşınabilir cihazlarda, sistem-on-chip uygulamalarında ve sinyal yönlendirmesi gereken devrelerde kullanılır. 1kΩ base ve 1kΩ emitter-base dirençleriyle önceden ayarlandığı için, basit devreler ve hızlı prototipleme uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok