Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
MMUN2216LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
MMUN2216LT1G Hakkında
MMUN2216LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. Entegre 4.7kΩ base direnci sayesinde harici bias ağı gerektirmez. 400mW maksimum güç tüketimi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 160 minimum değerine sahiptir. Düşük kolektör cutoff akımı (500nA) ve 250mV maksimum doyum gerilimi ile anahtarlama devrelerinde verimli çalışır. Mobil cihazlar, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrolör ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok