Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

MMUN2215LT1G

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMUN2215

MMUN2215LT1G Hakkında

MMUN2215LT1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektor akımı ile çalışır. Entegre 10kΩ baz direnci sayesinde ek bileşenlere ihtiyaç duymadan doğrudan kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 5mA ve 10V koşullarında 160'tır. Maksimum 400mW güç tüketimi ile küçük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve lojik uygulamalarında tercih edilir. 250mV saturasyon gerilimi, dikkat çekici darbe tepkisi sağlar. Harici baz biasing devrelerinin gereksiz kılındığı ön beslemeli tasarımı, PCB alanı tasarrufu sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 400 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok