Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

MMUN2213LT1G

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMUN2213

MMUN2213LT1G Hakkında

MMUN2213LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. Entegre 47kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleri ile donatılmış olup, 246mW maksimum güç tüketiminde işletilir. DC akım kazancı (hFE) 5mA collector akımında ve 10V Vce'de minimum 80 değerine sahiptir. Bu transistör, düşük sinyal anahtarlama uygulamaları, lojik seviyeleri arasında ara yüz kurma, sensör giriş kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 246 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok