Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
MMUN2212LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
MMUN2212LT1G Hakkında
MMUN2212LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bir transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA collector akımı ve 50V collector-emitter gerilim yeteneğine sahiptir. İçerisinde entegre edilmiş 22kΩ base ve 22kΩ emitter-base dirençleri bulunan bu transistör, hızlı anahtarlama uygulamalarında sinyal amplifikasyonu ve lojik seviye değişimleri için kullanılır. Düşük güç tüketimi (maksimum 246mW) ve kompakt boyutu sayesinde sınırlı PCB alanına sahip uygulamalarda, özellikle taşınabilir elektronik cihazlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok