Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
MMUN2211LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
MMUN2211LT1G Hakkında
MMUN2211LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketi içinde gelen bu bileşen, entegre baz ve emitter dirençlerine sahip olup (her biri 10 kOhms) hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 50V kolektör-emitter gerilimi ve 100mA kolektör akımı ile çalışabilen bu transistör, az alan gerektiren dijital lojik devreleri, güç yönetimi sistemleri ve sinyal anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 246mW maksimum güç tüketimi ile gömülü sistemler ve tüketici elektronikleri uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok