Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

MMUN2116LT1G

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMUN2116

MMUN2116LT1G Hakkında

MMUN2116LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V kolektör-emiter gerilimi ve 100mA kolektör akımı ile çalışabilir. Entegre 4.7kΩ base direnç ile önceden yapılandırılmıştır. DC akım kazancı (hFE) 5mA, 10V koşullarında minimum 160'tır. Maksimum güç dağılımı 246mW olup, kolektör kapatma akımı 500nA'dan azdır. Saturasyon gerilimi 1mA base, 10mA kolektör akımında 250mV'dir. Düşük güç tüketimi ve küçük paket boyutu nedeniyle sinyal anahtarlaması, lojik seviye dönüştürme ve gerilim amplifikasyonu uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 246 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok