Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

MMUN2114LT1G

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMUN2114

MMUN2114LT1G Hakkında

MMUN2114LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter dirençleri ile tasarlanmıştır. 50V Vce diyelectric dayanımı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 10kΩ base direnci ve 47kΩ emitter base direnci ile önceden yapılandırılmıştır. 246mW maksimum güç yayılımına sahip olan MMUN2114LT1G, sinyal anahtarlaması, lojik seviye kontrolü ve darbe modülasyonu gibi uygulamalarda tercih edilir. 80 minimum DC akım kazancı (hFE @ 5mA, 10V) ile güvenilir komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 246 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok