Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

MMUN2113LT3G

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMUN2113

MMUN2113LT3G Hakkında

MMUN2113LT3G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 50V collector-emitter kırılma voltajında ve maksimum 100mA collector akımında çalışmaya uygundur. Dahili 47kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleri ile önceden yapılandırılmıştır. 246mW maksimum güç derecelendirmesi ve 80 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle, genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında, sinyal amplifikasyonunda ve lojik devreler ile entegre devrelerin kontrol edilmesinde kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (500nA) ve 250mV satürasyon voltajı ile enerji verimli tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 246 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok