Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

MMUN2112LT1G

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMUN2112

MMUN2112LT1G Hakkında

MMUN2112LT1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 50V collector-emitter gerilimi dayanımı ve 100mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Entegre 22kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde harici biasing bileşenleri gerektirmeden doğrudan kullanılabilir. 246mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama, dc kontrol ve sürücü uygulamalarında tercih edilir. Kompakt paketi, düşük collector cutoff akımı (500nA) ve 60 minimum DC current gain özellikleri, mobil cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devrelerinde geniş uygulama alanı bulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 246 mW
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok