Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMST5551Q-7-F
SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT323
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- MMST5551Q
MMST5551Q-7-F Hakkında
MMST5551Q-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistöründür. SOT-323 (SC-70) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 160V maksimum collector-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 200mA collector akımı kapasitesi ve 300MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük kolektör kapalı akımı (50nA) ve 200mV saturasyon gerilimi sayesinde düşük güç tüketimli uygulamalarda ekonomik bir seçimdir. Ses amplifikatörleri, RF devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında sık kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok