Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMST5551-7-F
TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- MMST5551
MMST5551-7-F Hakkında
MMST5551-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount SC-70 (SOT-323) paketinde sunulmaktadır. 160V collector-emitter breakdown voltajı ve 200mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 300MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerde kullanılabilir. 200mW maksimum güç tüketimi, 80 minimum DC akım kazancı (hFE @ 10mA, 5V) ve 200mV saturasyon voltajı (5mA tabanı, 50mA collector) tipik özellikleri içerir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Darbe ve RF amplifikatörü, anahtarlama uygulamaları ve düşük seviyeli sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok