Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMSS8050HE3-H-TP

NPN SIGNAL TRANSISTOR,SOT-23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMSS8050

MMSS8050HE3-H-TP Hakkında

MMSS8050HE3-H-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum kolektör akımı 1,5 A ve 300 mW güç yönetimi kapasitesi ile düşük sinyalli uygulamalarda kullanılır. 100 mA akımda 200 minimum DC akım kazancı (hFE) sunar. 100 MHz transistion frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans gösterir. Kolektör-emiter doyum voltajı 500 mV (80 mA, 800 mA koşullarında) ve 25 V kırılma voltajı ile genel sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. Kompakt boyutu nedeniyle yoğun entegrasyon gerektiren elektronik tasarımlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 80mA, 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok