Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMS9013HE3-H-TP
NPN SIGNAL TRANSISTOR,SOT-23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMS9013
MMS9013HE3-H-TP Hakkında
MMS9013HE3-H-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 500mA kolektör akımı, 150MHz transition frequency ve 25V emitter-collector kırılma gerilimine sahip bu transistör, orta-düşük güç uygulamalarında sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama işlevleri için tasarlanmıştır. 300mW maksimum güç tüketimi, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 200 minimum DC current gain değeri ile bu bileşen, gürültülü ortamlarda ve endüstriyel uygulamalarda güvenilir performans sunmaktadır. Kompakt SOT-23 paketlemesi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 1V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok