Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF5016HSR5
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-400S-2S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF5016HSR5
MMRF5016HSR5 Hakkında
MMRF5016HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen AIRFAST RF Power GaN transistörüdür. HEMT teknolojisine dayanan bu bileşen, 1.8GHz ile 2.2GHz frekans bandında çalışan RF uygulamaları için tasarlanmıştır. 32W çıkış gücü ve 48V rated gerilim değerleri ile yüksek frekanslı güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Harita tabanı istasyonları, tutunabilir iletişim sistemleri ve endüstriyel RF güç amplifikatörleri gibi alanlarda uygulanabilir. NI-400S-2S paket tipi ile sunulan komponen, yoğun ısı yayımı gerektiren ortamlara uygundur. Mevcut durum itibariyle kullanımı terk edilmiş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Frequency | 1.8GHz ~ 2.2GHz |
| Package / Case | NI-400S-2S |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 32W |
| Supplier Device Package | NI-400S-2S |
| Transistor Type | HEMT |
| Voltage - Rated | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok