Transistörler - FET, MOSFET - RF

MMRF5014HR5

FET RF 125V 2.5GHZ NI360

Paket/Kılıf
NI-360H-2SB
Seri / Aile Numarası
MMRF5014HR5

MMRF5014HR5 Hakkında

MMRF5014HR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek elektron hareketlilik transistörü (HEMT) türü RF transistörüdür. 2.5 GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmış bu komponent, 125W çıkış gücü ile RF güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. 125V nominal çalışma gerilimi ve 50V test gerilimi ile belirtilen özellikleri, 18dB kazanç ve 350mA test akımı değerlerine sahiptir. NI-360H-2SB paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel RF sistemleri, telekomünikasyon cihazları ve yüksek frekans güç amplifikatörü tasarımlarında uygulanır. Aktif ürün statüsü ile uzun vadeli kullanılabilirlik sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 350 mA
Frequency 2.5GHz
Gain 18dB
Package / Case NI-360H-2SB
Part Status Active
Power - Output 125W
Supplier Device Package NI-360H-2SB
Transistor Type HEMT
Voltage - Rated 125 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok