Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF1312GSR5
TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230-4S GW
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF1312GSR5
MMRF1312GSR5 Hakkında
MMRF1312GSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS transistördür. 960-1215MHz frekans aralığında çalışan bu RF güç transistörü, 1000W peak çıkış gücü ile yüksek güç uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. 50V test gerilimi ve 112V nominal gerilim ratingine sahip olan bileşen, NI-1230-4S GW paketinde sunulmaktadır. 19.6dB kazanç değeri ile broadcast, endüstriyel RF ve mobil haberleşme sistemlerinde kullanılır. Test akımı 100mA'da tanımlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 1.03GHz |
| Gain | 19.6dB |
| Package / Case | NI-1230-4S GW |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 1000W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4S GULL |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 112 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok