Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF1310HSR5
FET RF 2CH 133V 230MHZ
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF1310HSR5
MMRF1310HSR5 Hakkında
MMRF1310HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual channel LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 230 MHz çalışma frekansında 300W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, 133V nominal çalışma gerilimi ile tasarlanmıştır. 26.5dB kazanç değeri ile RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. NI-780S-4L paketleme ile sunulan MMRF1310HSR5, radyo frekans haberleşe sistemleri, broadcast yayın teknolojileri ve endüstriyel RF uygulamalarında tercih edilmektedir. Active durumdaki bu transistör, yüksek frekanslı güç amplifikasyon gerektiren tasarımlarda entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 230MHz |
| Gain | 26.5dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 300W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 133 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok