Transistörler - FET, MOSFET - RF

MMRF1310HR5

FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780

Paket/Kılıf
NI-780-4
Seri / Aile Numarası
MMRF1310HR5

MMRF1310HR5 Hakkında

MMRF1310HR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual kanal LDMOS RF transistöründür. 133V nominal voltaj, 230MHz frekans ve 300W çıkış gücü kapasitesi ile tasarlanmıştır. 26.5dB kazanç sağlayan bu bileşen, RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. NI-780-4 paket tipi ile sunulan transistör, yüksek frekans endüstriyel ve haberleşme sistemlerinde RF ön kuvvetlendiriciler ve güç amplifikatörleri tasarımında tercih edilir. 100mA test akımı ve 50V test voltajı altında karakterize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 100 mA
Frequency 230MHz
Gain 26.5dB
Package / Case NI-780-4
Part Status Active
Power - Output 300W
Supplier Device Package NI-780-4
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 133 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok