Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF1306HR5
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-979A
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF1306
MMRF1306HR5 Hakkında
MMRF1306HR5, Rochester Electronics tarafından üretilen RF güç transistörüdür. LDMOS (Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) teknolojisinde tasarlanmış dual yapılı bu transistör, 230MHz frekans bandında çalışmak üzere optimize edilmiştir. 1250W çıkış gücü, 24dB kazanç ve 133V çalışma voltajı ile RF güç amplifikatörleri, yayın ekipmanları ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılır. SOT-979A pakette sunulan bileşen, yüksek frekans haberleşme sistemleri, mobil baz istasyonları ve profesyonel audio amplifikasyon uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 230MHz |
| Gain | 24dB |
| Package / Case | SOT-979A |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 1250W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4H |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 133 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok