Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF1305HSR5
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780S-4
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF1305
MMRF1305HSR5 Hakkında
MMRF1305HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual kanal LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 512 MHz çalışma frekansında, 133V nominal gerilim seviyesinde 100W çıkış gücü sunmaktadır. 26dB kazanç değeri ile özellikle RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılan bu bileşen, NI-780S-4L paketinde sunulmaktadır. Radyo frekans haberleşe sistemleri, broadcast yayın, endüstriyel ve askeri RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 50V test gerilimi ve 100mA test akımı parametreleri ile yüksek güç yoğunluğu uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 512MHz |
| Gain | 26dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 100W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 133 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok