Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF1018NBR1
FET RF 120V 860MHZ
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-272BB
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF1018
MMRF1018NBR1 Hakkında
MMRF1018NBR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) tabanlı RF FET transistörüdür. 860MHz frekansında çalışmak üzere tasarlanmış bu bileşen, 120V nominal gerilim ve 50V test geriliminde 350mA test akımı ile belirtilmiştir. 22dB kazanç ve 18W çıkış gücü ile RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-272BB paket içinde sunulan transistör, mobil haberleşme, endüstriyel RF sistemleri ve GSM/CDMA frekans bandlarında uygulanabilir. Bileşen üretim dışı (Obsolete) durumda olup, stok malzeme olarak temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 350 mA |
| Frequency | 860MHz |
| Gain | 22dB |
| Package / Case | TO-272BB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 18W |
| Supplier Device Package | TO-272 WB-4 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 120 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok